国产芯片再突破！CXMT明年量产12层HBM

进入高带宽存储器（HBM）市场仅三年，中国最大内存制造商CXMT（长鑫存储）便加速冲刺，计划明年量产12 层高密度 HBM3/HBM3E 存储器—— 这是当前商业化最高堆叠层数，标志着中国已完全掌握核心技术，正式向韩国主导的 HBM 市场发起冲击，中韩技术差距正逐年缩小，成为全球行业新变量。

据业内人士 4 月 8 日透露，CXMT 正与国内外材料、元器件及设备供应商洽谈资本支出计划，全力推进 12 层 HBM 量产筹备工作。另有知情人士补充，CXMT 今年将率先量产8 层 HBM3，同步推进 12 层 HBM 的生产洽谈，后续将逐步完成 DRAM 堆叠技术升级与设备投资，实现技术与产能双突破。

目前，AI 芯片搭载的 HBM 最高堆叠层数为 12 层，市场主流供应产品为 12 层 HBM3E，SK 海力士、三星电子、美光稳居全球市场份额前三。其中，三星已于 2 月份启动 HBM4 量产（SK 海力士、美光也在全力跟进供应），而 HBM4 初期同样采用 12 层堆叠方案，这也意味着 CXMT 此次布局，直接对标全球主流技术水平。

HBM 的核心竞争力在于垂直堆叠 DRAM 以提升带宽，堆叠层数是衡量技术实力的关键指标。其核心难点的在于，需将微凸点（焊球）精准连接上下 DRAM 层并实现无误键合，同时解决堆叠后的散热管理问题 —— 这也是 HBM 量产过程中良率下降的核心原因。CXMT 此次推进 12 层 HBM 量产，意味着已在一定程度上攻克这些核心技术难题。

回顾发展历程，CXMT 于 2024 年下半年才开始量产 4 层 HBM2，彼时 SK 海力士已实现 12 层 HBM3E 量产，中韩技术差距被普遍认为较大。但仅三年时间，CXMT 便实现跨越式发展，技术水平快速逼近韩国 HBM 巨头，业内普遍认为，当前中韩 HBM 技术差距已缩小至三年以内。

CXMT 的快速崛起，离不开中国政府的政策补贴与国内旺盛的市场需求。尽管目前其 HBM 良率仍低于韩国制造商，但公司并未局限于短期良率提升，而是通过扩大生产规模提升市场影响力，业内认为，随着产能与市场份额提升，其技术成熟度与良率也将同步改善。

据悉，CXMT 今年将把20% 的 DRAM 总产量（约每月 6 万片晶圆）转向 HBM 生产，全力满足国内 AI 芯片企业的需求。同时，公司计划今年通过 IPO 筹集42 亿美元，全部用于扩大下一代 DRAM 和 HBM 生产线，进一步夯实产能优势。

面对中国企业的崛起，韩国巨头正加速布局下一代技术以拉开差距。业内人士表示，三星、SK 海力士需提前掌握 16 层 HBM、混合键合等核心技术，目前两家企业预计最早将于今年年底完成 16 层 HBM 的研发，全球 HBM 技术竞争进入白热化阶段。

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